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透射电子显微镜
**的光学性能,可重复性和灵活性。
为了使科学家加深对复杂材料的理解并开发创新的新材料,他们必须能够关联形状和功能,在空间,时间和频率上进行解析并使用坚固,精确的仪器进行研究。
赛默飞世尔科技(Thermo Fisher Scientific)推出Themis Z –下一代超高分辨率,像差校正,扫描透射电子显微镜,可提供****的光学性能和灵活性,并具有****的可重复性。
在经过Thermo Scientific™验证的经过 CS校正,稳定的Themis设计的基础上,Themis-Z在30至300千伏的整个加速电压范围内,在高分辨率TEM和STEM中均提供了****的原子分辨率成像能力。
Themis Z具有300 kV的宽间隙S-TWIN极靴,其低至<63 pm的STEM分辨率令人印象深刻。图像显示以300 kV成像的GaN [211]和以60 kV成像的Si [110]。GaN [211]和Si [110]的相应FFT清楚地显示了63和136 pm的哑铃分辨率。
S-CORR STEM性能原子的分辨率成像
这种功能不仅是*前沿的,而且还可以广泛使用。
Themis Z通过OptiSTEM +在STEM实验中实现了探针成形光学器件的自动调谐。这不仅使显微镜专家而且所有材料科学家都可以触及极高的空间分辨率和较高的实验重现性。
带有OptiMono的ThemisZ继续以自动化为主题,它可以自动对准并优化单色仪光学器件,从而以**的实验精度和可重复性再次提供*终的能量分辨率。结果是可以使用超高分辨率电子能量损失光谱学实验,该实验为所有材料科学家提供了原子分辨率下的有价值的化学键合信息。
为了加深我们对复杂纳米材料的理解,需要一种能够提供*终性能的工具,而无论标本或研究方向要求的成像或光谱模式如何。用于测量原子级特性的工具应保证可重复性,准确性和精确性,而绝不妥协。创新需要不受技术限制的自由探索和研究。
ThemisZ提供了做到这一点的灵活性。
对敏感材料的敲击损坏
剂量敏感材料
低原子序数(Z)的材料
多层MoS 2 用S-CORR在30kV下成像
用iDPC在200 kV处成像六面铜酞菁铜。
GaN [211]用iDPC以63 pm的分辨率在300 kV下成像(插图显示HAADF图像)。Ga和N哑铃清晰可见。使用iDPC成像可以同时观察轻元素和重元素。
使用电子显微镜像素阵列检测器(EMPAD)在铁氧体中用DPC绘制场强和方向。样品提供:大阪府立大学中岛H.和森S.森。
Thermo Scientific EDS检测器产品组合可为客户提供各种检测器几何形状选择,以满足他们的实验要求并优化其EDS结果。
现在,借助Thermo Scientific Velox™分析软件,可以对两种探测器的几何形状进行快速,准确的定量。
自动进稿器
BaTiO3 / SrTiO3界面的铁损EELS原子分辨率元素图。蓝色为Ba,红色为Sr,绿色为Ti。使用1 eV FWHM电子探针在80 kV(60 pA)下成像(49x49像素<90秒)。
在该示例中,对金纳米线面积的测量显示了沿着纳米线的等离激元激发的局部位置随其激发能在0.18 eV至1.2 eV范围内的变化。这些实验需要具有<0.2 eV FWHM的单色电子探针。
使用FWHM <30 meV的单色电子探针在60 kV的MgO晶体中绘制表面声子模式。 样品和分析,由麦克马斯特大学加拿大电子显微镜中心Isobel Bicket和Gianluigi Botton教授提供。
低损伤,高灵敏度成像以及2D,3D和4D材料分析。Themis Z通过单个物镜配置以**分辨率提供所有功能。