锗片、锗衬底

1、晶体习性与几何描述：

该晶体使用直拉法在晶体（100）方向延伸。圆柱形表面（表面光洁度小于2.5 μm RMS）。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时，其当量直径为：

D ----外形尺寸当量直径

W----锗晶体重量

L-----晶体长度

测量值是四舍五入*小可达到毫米级别。为了便于订单出货，我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求，提供定制服务。

2、纯度：残留载荷

**允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关，请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算。

同轴探测器：同轴探测器适用于下列公式：

N_max = 每立方厘米**杂质含量

VD = 耗尽层电压 = 5000 V

εo = 介电常数 = 8，85 10-14 F/cm

εr = 相对介电常数(Ge) = 16

q = 电子电荷1，6 10-19C (elementary charge)

r1 = 探测器内孔半径

r2 = 探测器外孔半径

锗片、锗衬底

3、纯度：

假如晶体表面半径减少2mm，由于锂的漫射和刻蚀，内径8毫米的内孔半径， 适用公式变为：

D = 晶体外表面

平面探测器：平面探测器（厚度小于2厘米）适用于以下公式：

d=探测器外观尺寸厚度

径向分散载荷子（**值）

迁移：霍尔迁移

性能： P 型晶体 μ_H ≥ 10000 cm²/V.s

N 型晶体 μ_H ≥ 10000 cm²/V.s

能级： P 型晶体 通过深能瞬态测量，Cu_tot ≤ 4.5*10⁹ cm^-3

N 型晶体 通过深能瞬态测量点缺陷 < < 5*10⁸cm^-3

晶体主要指标： P 型晶体 N 型晶体

错位密度 ≤ 10000 ≤ 5000

星型结构 ≤ 3 ≤ 3

镶嵌结构 ≤ 5 ≤ 5

电阻率 0.02-0.04 ohm.cm

4、高纯度高纯锗HPGe晶体

说明：