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HPGe高纯锗晶体
High Purity Germanium Single Crystal – P Type
9N,10N,11N,12N,13N
1、晶体习性与几何描述:
该晶体使用直拉法在晶体(100)方向延伸。圆柱形表面(表面光洁度小于2.5 μm RMS)。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时,其当量直径为:
D ----外形尺寸当量直径
W----锗晶体重量
L-----晶体长度
测量值是四舍五入*小可达到毫米级别。为了便于订单出货,我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求,提供定制服务。
2、纯度:残留载荷
**允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关,请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算。
同轴探测器:同轴探测器适用于下列公式:
Nmax = 每立方厘米**杂质含量
VD = 耗尽层电压 = 5000 V
εo = 介电常数 = 8,85 10-14 F/cm
εr = 相对介电常数(Ge) = 16
q = 电子电荷1,6 10-19C (elementary charge)
r1 = 探测器内孔半径
r2 = 探测器外孔半径
3、纯度:
假如晶体表面半径减少2mm,由于锂的漫射和刻蚀,内径8毫米的内孔半径, 适用公式变为:
D = 晶体外表面
平面探测器:平面探测器(厚度小于2厘米)适用于以下公式:
d=探测器外观尺寸厚度
径向分散载荷子(**值)
迁移:霍尔迁移
性能: P 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s
N 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s
能级: P 型晶体 通过深能瞬态测量,Cutot ≤ 4.5*109 cm-3
N 型晶体 通过深能瞬态测量点缺陷 < < 5*108cm-3
晶体主要指标: P 型晶体 N 型晶体
错位密度 ≤ 10000 ≤ 5000
星型结构 ≤ 3 ≤ 3
镶嵌结构 ≤ 5 ≤ 5
4、高纯度高纯锗HPGe晶体说明:
高纯锗晶体 | ||
产地 | 法国 | |
物理性质 | 颜色 | 银灰色 |
属性 | 半导体材料 | |
密度 | 5.32g/cm3 | |
熔点 | 937.2℃ | |
沸点 | 2830℃ | |
技术指标 | 材料均匀度 | 特级 |
光洁度 | 特优 | |
纯度 | 99.99999%-99.99999999999%(7N-13N) | |
制备方式 | 锗单晶是以区熔锗锭为原料,用直拉法(CZ)法或者垂直梯度法(VGF法)等方法制备的锗单晶体。 | |
产品规格 | P、N型按客户要求定制 | |
产品用途 | 超高纯度,红外器件、γ辐射探测器 | |
P型N型高纯锗 | 在高纯金属锗中掺入三价元素如铟、镓、硼等,得到p型锗; 在高纯金属锗中掺入五价元素如锑、砷、磷等,得到n型锗。 | |
交货期 | 90天 |