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硒化铟晶体-InSe-γ phase
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上海研倍新材料科技有限公司
上海
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上海研倍
硒化铟晶体-InSe-γ phase
319
产品技术参数:
| 产品名称 | 硒化铟晶体-InSe-γ phase |
| 货号 | RDB-DJ-051 |
| 性质 | 半导体 |
产品规格：
>25 mm2
>35 mm2
>50mm2
硒化铟晶体-InSe-γ phase照片:
晶体截面SEM: XRD:
Raman: 块体InSe晶体PL光谱:
RDB-FSY-SiO2
RDB-FSY-HfO2
RDB-RJ-Al
RDB-PGY-Al(OH)3
RDB-PGY-Al2O3
RDB-NM-Al(OH)3
RDB-KJJ-Cu
RDB-KJJ-Ag
RDB-FSY-Cu2O
RDB-FSY-CuO
RDB-FSY-Y2O3
RDB-FSY-CeO2
