技术文章_网上粉体展

技术文章共8924篇

国仪量子电镜在芯片金属栅极刻蚀残留检测的应用报告

国仪量子电镜在芯片金属栅极刻蚀残留检测的应用报告一、背景介绍在芯片制造工艺中，金属栅极刻蚀是构建晶体管关键结构的重要环节。精确的刻蚀工艺能够确保金属栅极的尺寸精度和形状完整性，对芯片的性能和可靠性起着决定性作用。然而，刻蚀过程中不可避免地会产生刻蚀残留，这些残留物质可能是未完全刻蚀掉的金属材料、刻蚀副产物或光刻胶残留。金属栅极刻蚀残留会严重影响芯片的电学性能，导致漏电、信号传输延迟等问题，降低芯片的良品率...

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发表于：2025-03-25 访问量：206次来源：国仪量子技术（合肥）股份有限公司
碳纳米管导电浆料生产解决方案——纳米砂磨机

碳纳米管浆料是一种具有特殊性能和广泛应用前景的材料，以下是主要原料：碳纳米管N-甲基吡咯烷酮（NMP，常用溶剂)单壁碳纳米管（左）多壁碳纳米管（右）碳纳米管，也叫巴基管，是特殊的一维量子材料，径向为纳米级、轴向为微米级，两端基本封口，由石墨烯片卷曲而成。按层数分为单壁（SWCNTs）与多壁（MWCNTs）。N - 甲基吡咯烷酮简称 NMP ，是无色透明油状液体，有微胺味。其密度 1.028（25 度），粘度低、稳定性...

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发表于：2025-03-24 访问量：228次来源：上海易勒机电设备有限公司
醇铝法铝溶胶的优劣势

‌优势‌‌高纯度‌：避免金属杂质干扰，适用于精密领域（如催化剂、光学涂层）‌。‌可控性‌：通过调节水解温度、胶溶剂种类及用量，可精准调控溶胶性能‌。‌功能多样性‌：兼具粘结、抗静电、耐高温等特性，应用场景广泛‌。‌局限性‌‌原料成本高‌：有机铝盐易燃、有毒且价格昂贵，工业化生产受限‌。‌工艺复杂‌：需严格控制水解速率，避免剧烈反应导致沉淀过快或团聚‌。‌环保压力‌：醇类溶剂回收困难，存在废液处理难题‌。主要应用领域‌...

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发表于：2025-03-24 访问量：246次来源：扬州中天利新材料股份有限公司
氢氧化钙生产中的环保设备

氢氧化钙生产中的环保设备是确保生产过程符合环保标准、减少污染排放的关键部分。以下是氢氧化钙生产中常见的环保设备及其作用：1. 废气处理设备氢氧化钙生产过程中会产生大量废气，主要成分包括二氧化碳、二氧化硫和粉尘。废气处理设备用于净化这些废气，减少对环境的污染。脱硫塔：用于去除废气中的二氧化硫，常见的有湿法脱硫和干法脱硫。除尘器：用于去除废气中的粉尘，常见的有布袋除尘器、电除尘器和旋风除尘器。活性炭吸附装置：用...

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发表于：2025-03-24 访问量：200次来源：桂林矿山机械有限公司
浪声SuperSEM N10eX扫描电镜：助力3D增材制造领域的微观探索

在当今科技飞速发展的时代，3D增材制造技术正以其独特的优势在众多领域掀起一场制造革命。从航空航天的复杂零部件制造到生物医学的个性化植入体，从高端机械制造到文化创意产业的定制化产品，3D增材制造技术凭借其能够实现复杂结构一体化成型、快速响应设计变更、降低材料浪费等诸多优点，展现出巨大的发展潜力。然而，随着3D增材制造技术的不断深化，对其制造过程中的微观结构与性能分析提出了更高的要求。浪声SuperSEM N10eX扫描...

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发表于：2025-03-24 访问量：421次来源：苏州浪声科学仪器有限公司
走进电化学 | 如何用DCIR测试让锂电性能“整齐划一”？

前言随着锂离子电池在电动汽车和储能系统的大规模应用，电池组内单体电芯的一致性成为影响整体性能与寿命的核心因素。直流内阻（DCIR）作为衡量电池健康状态和功率特性的关键参数，其测试方法的精度与效率直接决定了电池分选和成组优化的效果。DCIR反映了锂离子电池内部离子迁移和电子传导的综合阻力，其数值与电池的极化特性、老化程度密切相关。在动力电池模组中，若单体电芯DCIR差异超过5%，可能导致充放电过程中电芯间电流分布不均...

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发表于：2025-03-24 访问量：383次来源：元能科技（厦门）有限公司
国仪量子电镜在 FinFET 鳍片 CD 临界尺寸测量的应用报告

国仪量子电镜在 FinFET 鳍片 CD 临界尺寸测量的应用报告一、背景介绍在半导体芯片制造领域，随着摩尔定律的不断演进，芯片制程工艺持续向更小的特征尺寸发展。FinFET（鳍式场效应晶体管）技术作为一种突破性的晶体管架构，已成为实现芯片高性能、低功耗的关键技术之一。FinFET 通过在硅衬底上生长出垂直的鳍片结构，显著增加了沟道表面积，有效提升了晶体管的开关速度和电流驱动能力，降低了漏电功耗。鳍片的 CD（Crit...

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发表于：2025-03-24 访问量：127次来源：国仪量子技术（合肥）股份有限公司
国仪量子电镜在 GaN HEMT 器件栅极凹槽形貌分析的应用报告

国仪量子电镜在 GaN HEMT 器件栅极凹槽形貌分析的应用报告一、背景介绍在现代功率电子与微波射频领域，氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）器件凭借其高电子迁移率、高击穿电场、低导通电阻等优异特性，成为提升系统效率、实现小型化与高性能化的关键组件。在 5G 基站的射频功率放大器中，GaN HEMT 器件能够高效处理高频信号，提高信号传输质量；在新能源汽车的车载充电器和逆变器里，可大幅提升电能转换效率。栅极作...

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发表于：2025-03-24 访问量：96次来源：国仪量子技术（合肥）股份有限公司
国仪量子电镜在 MEMS 加速度计悬臂梁应力观测的应用报告

国仪量子电镜在 MEMS 加速度计悬臂梁应力观测的应用报告一、背景介绍在现代传感技术领域，微机电系统（MEMS）加速度计凭借其体积小、重量轻、功耗低以及高灵敏度等优势，在汽车安全系统、智能手机、航空航天等诸多领域得到广泛应用。在汽车的安全气囊触发系统中，MEMS 加速度计能够快速精准地检测车辆的加速度变化，及时触发安全气囊，保障驾乘人员安全；在智能手机里，它助力实现屏幕自动旋转、运动追踪等功能。MEMS 加速度计的核...

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发表于：2025-03-24 访问量：91次来源：国仪量子技术（合肥）股份有限公司
国仪量子电镜在半导体纳米线直径均匀性统计的应用报告

国仪量子电镜在半导体纳米线直径均匀性统计的应用报告一、背景介绍半导体纳米线作为纳米电子学和纳米光子学领域的关键材料，因其独特的量子尺寸效应和优异的电学、光学性能，在高性能晶体管、传感器、发光二极管等众多器件中展现出巨大的应用潜力。半导体纳米线的直径均匀性对其性能起着至关重要的作用，微小的直径变化会显著影响纳米线的电学、光学和力学特性。例如，在纳米线晶体管中，直径的不均匀会导致载流子迁移率不一致，进而影响器...

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发表于：2025-03-24 访问量：93次来源：国仪量子技术（合肥）股份有限公司
国仪量子电镜在晶圆级封装微凸点共晶融合观测的应用报告

国仪量子电镜在晶圆级封装微凸点共晶融合观测的应用报告一、背景介绍在半导体产业持续向小型化、高性能化迈进的进程中，晶圆级封装（WLP）技术凭借其能有效缩小芯片尺寸、降低成本以及提升电气性能等显著优势，成为先进封装领域的关键技术。WLP 直接在晶圆上进行封装操作，相较于传统封装方式，减少了封装层级，缩短了信号传输路径，极大提升了芯片的电学性能。在智能手机、可穿戴设备等对空间和性能要求极高的电子产品中，WLP 技术广泛应用...

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发表于：2025-03-24 访问量：92次来源：国仪量子技术（合肥）股份有限公司
国仪量子电镜在晶圆键合界面微空隙统计的应用报告

国仪量子电镜在晶圆键合界面微空隙统计的应用报告一、背景介绍在半导体制造领域，晶圆键合技术作为实现芯片集成与封装的关键工艺，广泛应用于 3D 芯片堆叠、系统级封装等先进制程。通过将两片或多片晶圆在原子层面上结合，晶圆键合能够实现芯片间的电气连接、机械支撑以及信号传输，极大提升芯片的性能与集成度。然而，在晶圆键合过程中，键合界面常出现微空隙现象。这些微空隙是指键合界面处未完全结合的微小空洞，其产生原因复杂，涉及晶圆表面粗...

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发表于：2025-03-24 访问量：91次来源：国仪量子技术（合肥）股份有限公司
国仪量子电镜在抗辐射器件栅氧经时击穿分析的应用报告

国仪量子电镜在抗辐射器件栅氧经时击穿分析的应用报告一、背景介绍在航天、军事等高辐射环境下，电子设备需具备强大的抗辐射能力。抗辐射器件中的栅氧层是保障器件正常运行的关键结构，然而，长期处于辐射环境中，栅氧层会逐渐积累辐射损伤，最终导致经时击穿，使器件失效。准确分析栅氧经时击穿的过程和机制，对提升抗辐射器件的可靠性、延长其使用寿命意义重大。传统分析方法难以在微观层面清晰呈现栅氧击穿的细节，限制了对相关失效机制...

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发表于：2025-03-24 访问量：67次来源：国仪量子技术（合肥）股份有限公司
国仪量子钨灯丝扫描电镜电镜在磁存储器 MTJ 隧道结界面分析的应用报告

国仪量子电镜在磁存储器 MTJ 隧道结界面分析的应用报告一、背景介绍在信息存储技术飞速发展的当下，磁存储器凭借其高存储密度、低功耗和快速读写的优势，成为存储领域的关键力量。磁性隧道结（MTJ）作为磁存储器的核心部件，其隧道结界面的质量对磁存储器的性能起着决定性作用。MTJ 隧道结界面的原子排列、粗糙度以及元素扩散情况等，都会影响电子的隧穿效率，进而影响磁存储器的读写速度、存储密度和稳定性。因此，深入分析 ...

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发表于：2025-03-24 访问量：110次来源：国仪量子技术（合肥）股份有限公司
国仪量子钨灯丝扫描电镜在低 k 介质材料孔隙率分析的应用报告

国仪量子电镜在低 k 介质材料孔隙率分析的应用报告一、背景介绍在半导体芯片制造领域，随着芯片集成度不断提高，信号传输过程中的互连线电容问题日益凸显。低 k 介质材料因其具有较低的介电常数，能够有效降低互连线之间的电容耦合，减少信号延迟和功耗，成为先进芯片制造中不可或缺的关键材料。在高性能处理器、存储芯片等的制造过程中，低 k 介质材料被广泛应用于绝缘层，以提升芯片的性能和可靠性。然而，低 k 介质材料的孔隙率对其性能...

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发表于：2025-03-24 访问量：99次来源：国仪量子技术（合肥）股份有限公司
国仪量子电镜在功率器件沟槽栅氧完整性检测的应用报告

一、背景介绍在现代电力电子系统中，功率器件承担着电能转换与控制的关键任务，广泛应用于新能源汽车、智能电网、工业自动化等诸多领域。以新能源汽车为例，功率器件在逆变器中实现直流电到交流电的转换，驱动电机运转；在智能电网中，用于高效的电能分配与调节。沟槽栅结构因能有效提高功率器件的开关速度、降低导通电阻，从而提升功率密度和转换效率，成为功率器件的主流设计。其中，沟槽栅氧作为隔离栅极与半导体沟道的关键绝缘层，其完整性对功率器...

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发表于：2025-03-24 访问量：96次来源：国仪量子技术（合肥）股份有限公司
国仪量子钨灯丝扫描电镜在光电子器件键合丝形变分析的应用报告

国仪量子电镜在光电子器件键合丝形变分析的应用报告一、背景介绍在当今数字化信息时代，光电子器件广泛应用于光通信、光传感、消费电子等诸多领域，成为实现高效信息传输与处理的核心组件。在光通信系统中，光电子器件负责将电信号转换为光信号进行传输，并在接收端将光信号还原为电信号，保障信息的高速、稳定传输。在智能手机的摄像头模组中，光电子器件实现了图像的光电转换，为用户提供高质量的拍摄体验。键合丝作为光电子器件中连接芯片与基板或其...

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发表于：2025-03-24 访问量：92次来源：国仪量子技术（合肥）股份有限公司
国仪量子电镜在光模块透镜耦合对准度评估的应用报告

国仪量子电镜在光模块透镜耦合对准度评估的应用报告一、背景介绍在光通信技术蓬勃发展的当下，光模块作为实现光信号与电信号相互转换的核心器件，其性能直接影响光通信系统的传输质量与效率。透镜耦合是光模块中实现光源与光纤之间高效光传输的关键环节，透镜耦合对准度则是决定光耦合效率的关键因素。当透镜与光源、光纤之间的对准度存在偏差时，会导致光信号在传输过程中发生损耗，降低光模块的发射功率和接收灵敏度，进而影响整个光通信...

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发表于：2025-03-24 访问量：85次来源：国仪量子技术（合肥）股份有限公司
国仪量子电镜在光掩模缺陷修复质量验证的应用报告

国仪量子电镜在光掩模缺陷修复质量验证的应用报告一、背景介绍在半导体制造的光刻工艺中，光掩模作为图案转移的模板，其质量直接决定了芯片上电路图案的精度和完整性。随着芯片制造工艺向更小的特征尺寸不断推进，对光掩模的精度要求愈发严苛。哪怕是极其微小的缺陷，如灰尘颗粒、划痕、图案变形等，都可能在光刻过程中被放大，导致芯片上出现短路、断路等功能性缺陷，极大降低芯片的成品率和性能。为了确保光掩模的高质量，缺陷修复成为关键环节。修复...

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发表于：2025-03-24 访问量：84次来源：国仪量子技术（合肥）股份有限公司
国仪量子电镜在硅穿孔（TSV）铜填充空洞检测的应用报告

国仪量子电镜在硅穿孔（TSV）铜填充空洞检测的应用报告一、背景介绍在半导体封装技术持续演进的当下，硅穿孔（TSV）技术凭借其能实现芯片间高效垂直互连、显著提升集成度和性能的优势，成为先进封装的关键技术，广泛应用于 3D 芯片堆叠、系统级封装等领域。在 TSV 工艺中，铜填充是极为关键的环节，高质量的铜填充可保障信号传输的稳定性与可靠性。然而，实际生产过程中，铜填充时极易出现空洞缺陷。这些空洞会增大电阻，引...

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发表于：2025-03-24 访问量：97次来源：国仪量子技术（合肥）股份有限公司

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