目前化学机械抛光(CMP)是世界上公认的可以实现集成电路制造中全局平坦化的技术，其精度可以达到纳米级别。但是想要得到如此高精度的表面质量，除了工艺和设备参数的设定外，抛光液也是关键因素之一。

CMP抛光液一般由去离子水、磨料以及 pH 调节剂、氧化剂、分散剂和表面活性剂等化学助剂等组成，抛光液中磨料的作用是在晶圆和抛光垫的界面之间进行机械研磨，以确保CMP过程中的高材料去除率。

抛光液的抛光性能，受其分散性和悬浮稳定性的影响，随着抛光液放置时间的延长以及抛光过程中化学组分的变化，抛光液中的软磨料或硬磨料都易发生凝胶现象，这会导致抛光过程中在晶圆表面留下划痕，从而影响最终的抛光效果。

因此，如何制备具有良好分散稳定性的抛光液是目前亟待解决的问题。

高压均质技术制备高分散性抛光液

高压均质机通过高压下的强烈剪切和撞击作用，能够将颗粒分散到纳米级别，并保持其稳定的悬浮状态，从而改善抛光液的性能。

依托二十余年的技术积累，ATS的高压均质机在设备性能和技术水平上均处于国内领先地位。设备通过高压、高剪切力的作用，使CMP抛光液中的固体颗粒得以细化并均匀分散于液体中。同时，ATS还不断引入新材料、新工艺，提升设备的耐磨性、耐腐蚀性和稳定性，确保长期稳定运行。

• 金属杂质可控，无污染风险

• 耐腐蚀配件，提高使用年限

• 有效分散团聚粒子，粒径分布更窄

• 设备规格齐全，支持规模化生产

• 对比微射流均质机，容腔不易堵塞，性价比更高

案例分享

1.氧化铈抛光液

2.二氧化硅抛光液

3.氧化铝抛光液

通过上述结果，可以看出使用ATS高压均质机不仅可以提高CMP抛光浆料的性能和质量，还降低了生产成本，提高了生产效率，对于CMP工艺的优化和提升具有重要意义。而且不难看出高压均质机不仅在CMP抛光浆料中有显著优势，还可以应用于其他纳米材料的分散和均质过程，具有广泛的应用前景和市场潜力。