溶液法制备技术

气相沉积法通过气相反应控制薄膜生长，可制备高质量薄膜，主要包括以下四类方法：

1、 顺序气相沉积法

流程：真空环境下，依次沉积 AgBr、BiBr₃、CsBr 等前驱体薄膜，经热处理（气化与冷凝）驱动扩散反应形成钙钛矿薄膜（如无铅双钙钛矿 Cs₂AgBiBr₆）。

优势：可制备双钙钛矿薄膜，成分分布均匀。

劣势：需严格控制热处理温度与时间，工艺复杂度高。

2、 单源气相沉积法

流程：真空环境中，加热钙钛矿晶体（如 CsPbBr₃粉末）使其蒸发，蒸汽在基底冷凝成膜，经多次热处理优化结晶。

优势：可在低温下成膜，适用于热敏感基底。

劣势：需真空环境，薄膜可能结晶不完全，依赖后续热处理。

3、 多源气相沉积法

流程：同时加热多种前驱体（如 PbI₂与 CH₃NH₃I），使其蒸汽在基底相遇沉积形成薄膜（如 MAPbI₃）。

优势：可精准控制蒸发速度，提升薄膜均匀性与结晶质量，优化光学与电学性能。

劣势：温控精度要求高，设备成本高。

4、 化学气相沉积法

流程：通过前驱体气态化学反应生成薄膜，衍生出原位管式 CVD、气溶胶辅助 CVD 等方法。例如，HPCVD 法先旋涂 PbI₂前驱膜，再与 MAI/FAI 混合粉末在 160℃反应形成 MAPbI₃薄膜。

优势：可精确调控薄膜成分与微观结构，性能优异。

劣势：反应复杂，控制难度高，设备投资大。

5、 气相沉积法总结

气相沉积法可制备高质量薄膜，但设备投资与能耗高，限制了其广泛应用。