产品名称

中文名称: CVD氧化硅/硅基底单层二硫化钼

英文名称：Single Layer MoS₂ on SiO₂/Si

性质

形态：薄膜

参数

基底：二氧化硅/硅

基底尺寸：8 mm*6 mm

氧化层：300nm

片径范围：20-50 μm

厚度：0.6～0.8 nm

应用

先丰纳米**推出CVD法制备的单层二硫化钼，相比较锂插层制备的单层二硫化钼，该产品具有缺陷少，层数可控，优异的光学性质，是研究层数和荧光效应和制备器件的优异材料，欢迎咨询。