激光器的LIV特性测试

1 实验目的

l 通过实验熟悉半导体激光器的光学特性。

2 实验内容

l 测试激光器LIV曲线；

l 测试激光器暗电流；

3 实验原理

半导体激光器是以半导体材料作为工作介质的。这种激光器体积小、质量轻、寿命长、结构简单而坚固。常用材料有砷化镓(GaAs)、硫化镉(CdS)、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦三种形式；

半导体激光器是以半导体材料作为工作介质的。这种激光器体积小、质量轻、寿命长、结构简单而坚固。常用材料有砷化镓(GaAs)、硫化镉(CdS)、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦三种形式；

4 平台搭建

LIV曲线测试

本次实验采用1310nm FP SM单模激光器为测量载体，按照下图所示的连接方式将激光二极管与源表连接，注意搭建电路时一定要将两台源表用trig信号线连接，保证我们能给两台源表同步发送信号；

设置完参数后点击运行，切换到图和表界面可以看到下图所示的曲线：

图中显示了两条曲线，蓝色为LD驱动电流与LD端电压关系曲线；红色为LD驱动电流与前光功率的关系曲线。从图中可以看到当LD驱动电流大概为3mA时，前光功率与背光电流开始快速增长，说明测试所用的激光二极管的阈值电流为3mA。

暗电流测试

激光器暗电流一般在100nA以下，通常测试条件为VT=5V

，即反向施加5V电压。按下图所示的搭建电路，

对于恒压测试，可以直接使用源表的恒压模式测试。在源表的触控屏上直接点击扫描，然后选择电压源，设置源值为5V，限值为100nA；另外由于电流较小，将NPLC设置为10确保测试结果的准确性。

5 注意事项

1) 电源不能短路；

2) 调节电压时，注意不能超过本文档中所述电压，否则，有可能烧坏器件；

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