使用配有低温系统的 LFA 457 对多晶石墨进行了测试，测试曲线上材料在室温附近导热系数达到**，一般解释为由于该材料的 Debye 温度较高（> 1000 K）所致。在峰值右侧的高温区域，热扩散系数随温度上升而下降得比较快，主导了该区域的导热系数变化的趋势。峰值左侧的低温区则比热下降的非常快，这主导了低温下该材料的导热系数随温度变化的趋势。

聚碳酸酯（PC）是一种非常常见的聚合物材料，常用于电动工具包装。为了通过有限元素模拟的方法以优化生产／模制工艺，需要知道它的热物性参数。如果使用 LFA 457 的熔融样品容器，则不仅能测得固态下、也能测得玻璃化转变温度以上（> 140°C）的材料的热扩散系数。若已知密度与比热数据（可用 DSC 测试），则可计算得到导热系数。此外，在比热曲线与热扩散曲线上还可以看到玻璃化转变（在导热系数曲线上则无法看到这一类似于二级相变的转变过程）。

本例中，硅片的物理性质由 LFA 457 MicroFlash® 测试。从 -100℃ 到 500℃，导热性能和热扩散系数持续降低。

比热值用 DSC 204 F1 Phoenix® 测定。数据点的标准偏差小于 1 %。

下图为 AgPb18Te20 150 oC到370 oC温度范围内的导热系数测试结果。晶格导热系数可以根据测试得到的导热系数计算得到。AgPb18Te20的总导热系数(λtot) 和晶格导热系数(λlatt) 呈现出温度依赖性。

插图为 Ag1-xPb18BiTe20 (x = 0， 0.3) 和 AgPb18BiTe20 (用 + 表示) 的导热系数温度依赖性比较。

在碲化铅材料 PbTe-Ge 和 PbTe-Ge1-xSix 中，通过调整 Ge 和 Si 的含量可以很容易调节合金的导热系数。

下图结果是在 25℃ 到 320℃ 温度范围内获得。图A 显示 Ge 不同的含量对 PbTe 的晶格导热系数有很大的影响。在整个温度范围内，随着 Ge 含量的降低，晶格导热系数降低。另外，在上述体系加入 Si 元素后，晶格导热系数进一步降低（图B）。当 Ge 和 Si 的混合比例不变，将 Ge0.8Si0.2 含量降低时，可以看到类似的行为(图C)。图D 显示当Ge-/Ge-si 的比例为 5% 时能够得到**晶格导热系数。