粉体行业在线展览
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8英寸导电型碳化硅衬底
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杭州华创晶瑞科技有限公司
浙江
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华创晶瑞
8英寸导电型碳化硅衬底
99
技术优势
晶体利用率高，成本低 品质达到P-MOS级
采用PVT长晶法
籽晶粘结成功率接近100%
平均生长速度0.13-0.16mm/h
长晶良率高于行业水平
加工良率达到90%
有效的降低了单片成本。
SiC 晶锭一致性非常优秀
晶片表面粗糙度0.075纳米
4英寸导电型碳化硅衬底
6英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底
碳化硅晶锭晶棒
8英寸导电型碳化硅衬底
2英寸导电型碳化硅衬底
4、6英寸低阻高掺p型碳化硅衬底
4~8英寸碳化硅外延
氮化镓衬底 外延
4英寸3C N型碳化硅衬底
7N 碳化硅粉料
碳化硅MOS SBD晶圆
2~6英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底
