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4HSiC
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硅来半导体（武汉）有限公司
武汉
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4HSiC
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产品参数
| 参数名称 | P级 | R级 | D级 |
| 晶型 | 4H | ||
| 晶向 | 向<11-20> 偏转4º± 0.5º | ||
| 主参考面长度 | 32.5±2.0mm | ||
| 次参考面长度 | 18.0±2.0mm | ||
| 电阻率 | 0.015~0.025ohm·cm | ||
| 直径 | 100 ± 0.25 mm | ||
| 厚度 | 350±25μm（可定制） | ||
| LTV | ≤ 2 μm | ≤ 5 μm | ≤8 μm |
| TTV | ≤ 3 μm | ≤ 5 μm | ≤ 10 μm |
| Bow | -15 μm - 15 μm | -25 μm - 25 μm | -45 μm - 45 μm |
| Warp | ≤ 20μm | ≤ 35μm | ≤ 55μm |
| 微管 | ≤ 0.2ea/cm2 | ≤ 0.5ea/cm2 | ≤ 1ea/cm2 |
| TSD | ≤ 500ea/cm2 | ≤ 1000ea/cm2 | __ |
| BPD | ≤ 1500ea/cm2 | ≤ 3000ea/cm2 | __ |
| 崩边/裂纹/六方空洞 | 无 | ||
| 多晶面积 | 无 | __ | |
| 表面粗糙度 | Ra≤0.2nm(正面) Ra≤2nm(背面) | ||
| 边缘处理 | 倒角 | ||
| 划伤 | 累计长度小于半径 | 累计长度小于直径 | __ |
| 颗粒度 | ≤60 (size≥ 0.3 μm) | __ | |
| 标记 | 激光编码 | ||
| 包装 | 单片/多片包装 | ||
