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氮化铝陶瓷已成为新一代大规模集成电路、半导体模块及大功率器件的理想的散热和封装材料，大量应用于HBLED、UVLED封装、大功率集成电路、功率模块、RF射频/微波通讯、汽车电子、微电子半导体、影像传输等领域。
| 氮化铝（AlN）是共价键化合物，原子晶体，属类金刚石氮化物、六方晶系，纤锌矿型的晶体结构，无毒，呈白色或灰白色，理论密度3.26g/cm3。 | |
| 氮化铝材料具有如下特性： |  |
| (1)高热导率 (理论值约320W/m·K)； (2)高绝缘性； (3)低热膨胀系数(4.5×10-6℃)与Si(3.5~4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配； (4)电性能优良(介电常数、介质损耗、体电阻率、介电强度)； (5)机械性能好； (6)耐腐蚀性好； (7)光传输特性好； | |
| 氮化铝陶瓷已成为新一代大规模集成电路、半导体模块及大功率器件的理想的散热和封装材料，大量应用于HBLED、UVLED封装、大功率集成电路、功率模块、RF射频/微波通讯、汽车电子、微电子半导体、影像传输等领域。 | |
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