晶体生长方法：CZ/MCZ

导电型号：P/N

直径：50-350mm

掺杂物：硼/磷

电阻率：0.001-100.Ω.cm

少子寿命：>10µs

晶向：<100>、<110>、<111>

熔点：1420℃

密度：2.33g/cm3

位错密度：无位错

纯度：6N-9N

氧含量（ppma）：≤20

碳含量（ppma）：≤1.0

电阻率晶向不均匀度：<15%

外观：无划痕、缺口等不良现象