一．产品概述
              VGF是目前国际上生长GaAs和InP等化合物半导体单晶的主流技术。
              VGF坩埚为垂直梯度凝固法（VGF）生长化合物单晶的容器。
       二．产品特点
               纯度高达99.999%
               与熔融金属不润湿
               热导率可控，有效提高成晶率
               优异的抗热震性
               易清洗，可重复使用
               化学惰性，在高温下与酸、碱不发生化学反应