Hydrofluoric Acid Vapor Phase Etcher

氢氟酸气相蚀刻系统

MEMS领域设备：准干法氢氟酸气相蚀刻系统，4“、6”、8“范围适用。

氢氟酸蚀刻二氧化硅是微电子行业中的一道传统工艺，多以湿法为主，但是湿法工艺容易造成硅表面自然氧化层无法完全去除，进而影响金属和硅的欧姆接触。

本氢氟酸气相蚀刻是一套准干法工艺设备，通过对基底的加热，晶圆表面的水分可以很好的控制。由

于晶圆完全不与液体接触，可以进行无粘着MEMS释放。

特点：

安全酸处理

可重复利用HF

晶圆夹紧机构

适于各种尺寸的晶圆

无需安装（装置在湿法酸工作台中使用）

上部向下晶圆蚀刻

背面保护

低运行成本

应用：

无粘着MEMS释放

结构减薄

SOI基底上的结构免切割释放

蚀刻速率从0到10 μm/hour可调（无粘着）

单面二氧化硅蚀刻（蚀刻过程背面保护）

4英寸产品型号：VPE100

6英寸产品型号：VPE150

8英寸产品型号：VPE200

蚀刻液：50%HF有机溶液

蚀刻速率：2-30 μm/hour

加热温度：35-60℃

反应室温度控制

在反应室内，二氧化硅的腐蚀速率随液体HF的温度略有变化。氢氟酸的温度取决于洁净室的环境温度。此外，在长时间的蚀刻过程中，HF会被加热，导致晶圆之间的蚀刻速率增加，直到系统稳定下来。为了稳定腐蚀速率，我们在容器中开发了一个温度可控的HF反应室。高频的温度可以通过附加的控制器来调节。