等离子沉淀设备

等离子沉积设备SI 500 D

产品介绍高端ICPECVD设备SI 500 D为基于等离子体的沉积工艺提供了优异的性能。使用PTSA ICP等离子体源产生的高密度PECVD沉积高质量的介质膜和硅膜。平行板三螺旋天线（PTSA）保证了沉积薄膜的优异性能，如在非常低的沉积温度下（＜100°C）实现低刻蚀速率，低应力和低界面态密度。特点 *高密度等离子体

*平行板ICP等离子体源

*优异的沉积性能

*动态温度控制

带预真空室的化学气相沉积设备SI 500 PPD

产品介紹灵活的PECVD系统SI 500 PPD具有多种标准的等离子沉积工艺。用电容耦合等离子体沉积 SiO2、SiNx、 SiOxN揷口a-SL灵活的设计允许使用气态或用于PECVD的液体前驱体TEOS。特点 *工艺灵活性

*预真空室

*SENTECH控制软件

PECVD等离子沉积设备DEPOLAB 200

产品介绍直接置片的PECVD设备Depolab 200结合了成本效益的直接载片和平行板等离子体源在一起的基本的，紧凑的设计。易于使用的直接载片系统实现了用户友好的批量工艺（使用载片器或直接加载到衬底电极）。智能的PECVD系统可以升级，以达到提高性能的需求。特点 *低成本效益高

*升级扩展性

*SENTECH控制软件

原子层沉积设备

SENTECH ALD

产品介紹

ALD设备可以配置为用于氧化物、氮化物和金属沉积。三维结构具有出色的均匀性和保行性。利用ALD、 PECVD和ICPECVD， SENTECH提供等离子体沉积技术，用于从纳米尺度沉积到数微米的薄膜沉积。特点 *简易的腔体清洗

*集成手套箱

*节省前驱体

*前驱体控制

等离子沉淀设备

正片晶片扫描MDPinline

优势在不到一秒的时间内，实现对一个晶片全电子晶片特性的测量，测量参数：少子寿命（全形貌），电阻率（两行扫描），迄今为止还没有看到工艺控制、良率和工艺改进的效率允许极快地增加新的生产或工艺，因为来自数千个晶片的统计信息是在非常短的时间内获得的。适合于测量出料或进料晶片的材料质量，以及在晶片级别内识别结晶问题，例如在光伏行业.适用于扩散工艺的完整性控制、钝化效率和均匀性控制。

快速自动扫描系统MDPinline ingot

优势测量速度，用于先进的光伏工厂的在线多晶硅表征。用1毫米分辨率测量少子在两块上的寿命。同时测量了导电类型变化的空间分辨测量和电阻率线扫描.客户定义的切割标准可以传送到工厂数据库，该数据库允许为下一代光伏工厂进行全自动材料监测。从而实现了材料质量控制，监测炉的性能，以及失效分析.特殊的"表面以下”测量技术大大减少了由表面复合造成的数据失真。

激光扫描系统MDPpro

优势

机或晶圆的整体工具系列•少子寿命、光电导率、电阻率、p/n导电类型变化和几何样品平整度的同时自动扫描.对于156x156x400mm标准砖，测量速度小于4分钟，分辨率为1mm，所有5幅测量图形同时绘制。坚固耐用的设计和易于设置的性能.对于安装，仅需要电源。带有数据库的工作站包含。