仪器简介：

又名：掩膜对准曝光机，曝光系统，光刻系统，光刻机等；

全球**的半导体设备供应商，多年来致力于掩膜对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上*早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多**企业、研发中心、研究所和高校所采用；依优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。

相关设备：

甩胶机，甩膜机，涂胶机，旋转涂膜机，匀膜机，清洗机，显影机等；

技术参数：

基片尺寸：4、6、8、12、25英寸，其他要求支持；

光束均匀性：<±3%；

曝光时间可调范围：0.1 to 999.9秒；

对准精度：1微米，**0.5微米；

分辨率：1微米；

光束输出强度：15-25mW/cm2；

主要特点：

光源强度可控；

紫外、深紫外曝光；

系统控制：手动、半自动和全自动控制；

曝光模式：真空接触模式（接触力可调），Proximity靠近模式， 投影模式；

真空吸盘范围可调；

**技术：双面对准！

双重显微镜系统，**放大1600倍；