测量原理

激光干涉法适用范围

可用于测量工件尺寸为 Φ2---Φ8（INCH）直径的圆型晶片

测量精度及量程

1、关于厚度

厚度量程：100---2000um，测量精度与 WAFER 表面光洁度有关，即： 测量重复精度（砷化镓等二代半导体类双拋表面 WAFER）：±0.3um ; 测量重复精度（碳化硅等三代半导体类研磨表面 WAFER）: ±0.5um ; 测量重复精度（蓝宝石类单拋表面 WAFER）：±0.5um ;

2、关于平面度/表面形态参数测量精度

测量精度：±0.06μm 重复性精度：±0.03μm 分辨率：±0.005μm

像素点数：≥250000 

3、分选速度

为了保证不造成对 WAFER 表面造成损伤，研究人员建议的安全分选速度为： 100 片/小时左右。