化合积电采用微波等离子体化学气相沉积设备，在50.8 mm(2英寸)硅基氮化镓HEMT上实现<10um厚度多晶金刚石材料的外延生长。采用扫描电子显微镜及X射线行射仪对金刚石薄膜的表面形貌、结晶质量以及晶粒取向进行表征测试，结果显示:样品表面形貌较为均匀，金刚石晶粒基本表现为(111)面生长，具有较高晶面取向。在生长过程中有效避免了氮化镓(GaN)被氢等离子体刻蚀，使得金刚石镀膜前后氮化镓特性未发生明显变化。