在薄膜晶体管液晶显示器（t h i n—f i l m t r a n s i s t o r—l i q u i dcrystal display，TFT—LCD）中的导电薄膜按材质分为遮光型和透光型2大类。遮光型导电薄膜就是普通的导电金属，如铝（A l）、铜（C u）、钼（M o）、铬（C r）、钛（T i）等。透光薄膜一般是在一些半导体氧化物中掺杂金属元素，如I TO等[1]。T FT—LCD导电薄膜的特殊性在于使用了透明的掺锡

氧化锡，所以已成为TF T—L CD的制造重要的电极材料。

T F T—L C D工艺按顺序分为阵列( A r r a y )、成盒( C e l l )和模块(Mo d u l e )。以5层薄膜图案的工艺为例，I TO靶材主要是通过溅射（sputter）成膜工艺形成像素电极，与彩膜基板上的共用电极一起形成液晶像素的上下电极，控制液晶分子的旋转实现显示。其在5层薄膜图案的工艺流程是: 溅射前清洗→ITO溅射→I T O后清洗→涂胶→曝光→显影→显影后检查→I T O湿刻→刻蚀后检查→去胶→退火→阵列终检→激光修复

此外，I T O薄膜还有2个作用：一是存储电容上的I T O为存储电容的另一个电极，与第一次光刻的金属电极一起形成了存储电容的上下电极，2电极之间的介质层为绝缘层和钝化层。二是外引线处的I T O为栅线和信号线金属的保护层，为防止金属电极直接暴露在大气下氧化，在外引线暴露金属电极的部分覆盖上I T O起到保护作用。