在半导体行业需要应用ICP-MS监测芯片制造 过程中的清洗液中磷的含量。磷的质荷比为31 ，会 受到N15O16 、 Si28H1 、 N14O16H1等多原子离子 的干扰 ， 以至于背景信号特别高 ，检出限难以满足 要求 。 故本实验采用冷焰条件 ， 通过P31O16测试 某芯片制造广生产过程中的清洗液 。 检出限低至 0.037ug/L ， 同时对比了热焰情况下 、 ICPMS的测 试结果及ICP-OES的测试结果 ，结果表明 ， 三者结果相近。

本实验采用冷焰条件 ，通过P31O16测试某芯片制造广生产过程中的清洗液。线性相关 系数0.999879 ，检出限低至0.0374ug/L。 同时对比了冷焰条件、热焰条件下ICPMS的测试结 果及ICP-OES的测试结果 ，结果表明 ，三者结果相近 ，充分证明了采用冷焰条件 ，通过测试 P31O16测试样品中的P是一种可靠的方法。