石墨烯一直被认为是射频（RF）柔性电子器件的理想候选通道材料。 来自IEMN-CNRS，Graphenea和诺基亚的科学家现在已经展示了具有39 GHz记录的高截止频率的柔性石墨烯晶体管。 在柔性聚合物基材上制成的石墨烯装置对于反复的弯曲是稳定的。

灵活的电子产品已经成为一个非常活跃的研究应用领域。由智能设备和可穿戴设备的潜在巨大市场驱动，预计在不久的将来，人们将在他们的衣服上穿着医疗和娱乐设备，这个目标需要将传感器放置在各种柔性支架上并且让这些传感器和设备彼此通信。而这一切将需要额外的柔性射频电子层。

晶体管构成了射频电子元件（如放大器和混频器）的主要组成部分，因此新一代灵活的射频晶体管是打开智能设备和可穿戴市场的关键。 石墨烯是一种具有极高载流子迁移率的并且非常灵活，坚固，薄的材料，是这种晶体管的完美候选通道材料。 柔性石墨烯晶体管一直以来都是一个积极的研究方向，最近发表在纳米尺度杂志上的这篇文章，研究者通过将器件制造提升到一个新的高度，显示出高创纪录。

图片所示：柔性石墨烯RF晶体管。

石墨烯场效应晶体管（GFET）由具有约2500cm2 V-1s-1的载流子迁移率的高质量CVD生长的石墨烯制成在具有沟道区域中的薄氧化铝介质间隔物的柔性Kapton衬底上。 使用这种复杂和优化的材料可以提高记录的高频性能以及抗弯曲的稳定性。 即使经过1,000次弯曲循环，石墨烯场效应晶体管（GFET）也能继续运行，并且可以弯曲到半径为12 mm，截止频移高达10％。

最后，研究者测试该器件的热稳定性。 由于在这种器件中通常使用的聚合物衬底的热导率差，热稳定性是柔性电子学中的一个重要问题。 研究人员表明，在高电压偏压下，器件升温，性能不可逆地降低。

这种对灵活石墨烯场效应晶体管（GFET）的新研究不仅为带宽创造了新的记录，而且还证明了这些器件在高偏压下常见的降解来自于衬底的热变形。 随着这一方向的研究的进展，灵活的GFET将成为未来可穿戴技术的重要组成部分。

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