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分子束外延薄膜生长设备(MBE)
面议
鹏城半导体
分子束外延薄膜生长设备(MBE)
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分子束外延薄膜生长设备(MBE)(分子束外延MBE)该设备可以在某些衬底上实现外延生长工艺,实现分子自组装、超晶格、量子阱、一维纳米线等。可以进行第二代半导体和第三代半导体的工艺验证和外延片的生长制造。
分子束外延薄膜生长设备在薄膜外延生长时具有超高的真空环境,是在理想的环境下进行薄膜外延生长,它可以排除在薄膜生长时的各种干扰因素,得到理想的高精度薄膜。
我公司设计制造的分子束外延薄膜生长实验设备,分实验型和生产型两种 ,配置合理,结构简单,操作方便,技术先进,性能可靠,用途多,实用性强,价格相对较低,可供各大学的实验室及科研机构作为分子束外延方面的教学实验、科学研究及工艺实验之用。生产型MBE可用于小批量外延片的制备。
功能特点
本项目于2005年在国内率先完成了成套MBE的全国产化研发设计和制造,做到自主可控。自主设计MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、RHEED原位实时在线监控仪、直线型电子枪、高温束源炉、束源炉电源、高温样品台、膜厚仪(可计量外延生长的分子层数)等核心部件。
LHTG/LHTM/LHTW
Empyrean
V-Sorb4800-金埃谱
EMIA-820V
Hydrolink
Autoflex R837
3H-2000A
SQL810C/1010C
UNI800B
略
BI-ZTU