MOCVD设备（化学气相沉积CVD）

可用于GaN、ZnO等的外延生长。

材料的输运采取了超纯的气路系统，源的切换和输入采用了多路组合阀进气技术。由于组合阀具有极小的死空间，使得源的残留量非常少，有利于生长具有陡峭界面的材料。

采用压差控制技术控制组合阀的旁路和主路之间的压力，大大降低了源的压力和浓度波动，有利于材料生长的重复性和稳定性。

采用了管道镶嵌式进气喷头，使反应源在衬底表面均匀混合并反应，大大降低了预反应的发生。

采用电阻式快速升降温加热炉。