QBT-I 双腔室高真空高速蒸镀系统

产品详情：

上下双腔,集表面处理与蒸发镀膜为一体,高效可靠的Indium蒸镀助手。

技术参数

QBT-I 技术参数 Technical Specifications (Indium Bump等制备)
高真空腔体 HV Chamber	2个HV腔室，Loadlock离子束刻蚀及蒸镀，极限真空Ultimate Pressure<3E-8Torr
排气速率Pumping Spead	从ATM到8E-7Torr<15min (loadlock)
极限蒸发速率 High Depostion Rate	5-12nm/s (Indium), Ф100基板镀膜均一性<3%, 大容量坩埚
精准的样品冷却控制 Wafer Cooling	-10-40℃ (精度±0.1）
离子束清洗 Ion Milling	考夫曼离子源, Ф100基板刻蚀均一性<3%
人机界面 HMI	全自动化人机操作界面
安全Safety	工业标准安全互锁Industry Safety Interlock，报警Alarm，EMO

测试结果

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双腔型高真空高速蒸镀系统

QBT-I

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