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SiC外延炉

YS-E08S01

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广州粤升半导体设备有限公司.

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产品规格型号
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面议

型号:

YS-E08S01

关注度:

101

产品介绍

粤升设备自主研发的SiC外延炉,外延炉已获得多家外延生长厂家批量订单,生长的SiC外延片质量达到国际**水平,满足SBD和MOSFET器件的制备要求。


设备名称:SiC外延炉

设备型号:YS-E08S01

设备功能:CVD法生长SiC同质外延

衬底尺寸:6吋兼容8吋

片内厚度不均匀性:<2%片内掺杂浓度不均匀性:<5%形貌缺陷密度:<1个/平方c㎡


·具备n、p型及高速率的外延生长能力

·RUN TO RUN性能优异

高均匀性、低缺陷的SiC外延质量

,供液一体化系统,


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