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YS-C08S01
面议
YS-C08S01
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粤升设备融合二十余年的SiC晶体工艺经验打造,给您提供高质量,低成本的SiC单晶。
设备名称:液相法SiC单晶炉
规格参数
设备型号:YS-C08S01
设备尺寸:L1800xW1400xH3750mm
适用工艺:LPE法(兼容PVT法)
长晶尺寸:6吋兼容8吋
籽晶/坩埚升降行程:200mm
籽晶/坩埚旋转速度范围:0-180rpm
**加热温度:800~2200℃C
设备特点
·液相法SiC长晶特点
·生长的晶体质量高,缺陷少,没有微管类缺陷,晶体应力低,
·可生长n型、p型SiC单晶晶锭,也可生长3C-SiC
·生长过程对温场影响小,工艺稳定性好
·不需预合成SiC粉原料,生长成本低
·生长温度低,能耗低。