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液相法SiC单晶炉

YS-C08S01

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广州粤升半导体设备有限公司.

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型号:

YS-C08S01

关注度:

110

产品介绍

粤升设备融合二十余年的SiC晶体工艺经验打造,给您提供高质量,低成本的SiC单晶。


设备名称:液相法SiC单晶炉


规格参数


设备型号:YS-C08S01


设备尺寸:L1800xW1400xH3750mm


适用工艺:LPE法(兼容PVT法)


长晶尺寸:6吋兼容8吋


籽晶/坩埚升降行程:200mm


籽晶/坩埚旋转速度范围:0-180rpm


**加热温度:800~2200℃C



设备特点


·液相法SiC长晶特点


·生长的晶体质量高,缺陷少,没有微管类缺陷,晶体应力低,


·可生长n型、p型SiC单晶晶锭,也可生长3C-SiC


·生长过程对温场影响小,工艺稳定性好


·不需预合成SiC粉原料,生长成本低


·生长温度低,能耗低。



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YS-C08S01

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