简介 ： 1.温度范围：100-1850℃。 2.进口发热体，工作温度精确度达±0.5℃。 3.坩埚具有旋转功能，可根据需要设置旋转速度和方向。 4.设备可用于2-4英寸单晶生长需求，可根据客户需求定制化所需其它功能。 5.氮化镓高压助熔剂晶体生长设备： 简介 ： 1.温度范围：100-1850℃。 2.进口发热体，工作温度精确度达±0.5℃。 3.坩埚具有旋转功能，可根据需要设置旋转速度和方向。 4.设备可用于2-4英寸单晶生长需求，可根据客户需求定制化所需其它功能。 5.氮化镓高压助熔剂晶体生长设备： 简介 ： 1.温度范围：100-1850℃。 2.进口发热体，工作温度精确度达±0.5℃。 3.坩埚具有旋转功能，可根据需要设置旋转速度和方向。 4.设备可用于2-4英寸单晶生长需求，可根据客户需求定制化所需其它功能。 5.氮化镓高压助熔剂晶体生长设备：