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12 英寸硅单晶生长炉
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浙江芯晖装备技术有限公司
浙江
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芯晖装备
12 英寸硅单晶生长炉
36
项目 | 参数 | 单位 | XINHUI |
晶棒长度 | · 2100 | mm | 2100 |
晶棒直径 | · 308 | mm | ≥ 308 |
碳含量 | · < 0.30 | ppma | ＜ 0.10 |
晶体 | · COP ≥ 26nm (no pattern) | % | >85 |
体金属 | · Bulk Metal Cu | atom/cm3 | ≤ 1E11 |
· Bulk Metal Ni | atom/cm3 | ≤ 1E10 | |
· Bulk Metal Fe | atom/cm3 | Ave ≤ 2E9；Max ≤ 1E10 | |
提拉轴与坩埚轴对中偏差 | · 多次开合操作后 | mm | ≤ ± 1 |
· 承载在0-400kg 范围内变化 | mm | ≤ ± 1 | |
液面位置跟踪控制精度 | - | mm | ±0.2 |
晶体直径控制精度 | - | mm | ±2.0 |
投料量（含二次加料） | - | KG | ＞ 400 |
晶圆铜雾离子检查设备-HD
晶圆表面及边缘检测设备-SEDI
晶圆边缘检测设备-EDI
XV1152 测试平台
晶圆隐裂外观检测设备(ADS)
XB1152 测试平台
晶圆隐裂外观边缘检测设备-ADSE
金属污染物M-SPEC系列
离子污染物I-SPEC系列
有机污染物O-SPEC系列
200mm硅片研磨设备
300mm硅片研磨设备
