粉体行业在线展览
面议
925
专门为电子束敏感样品和需**300万倍稳定观察的先进半导体器件,高分辨成像所设计。
新的电子枪和电子光学设计提高了低加速电压性能。
0.4nm / 30kV (SE)
1.2nm / 1kV (SE)
0.34nm / 30kV (STEM)
用改良的高真空性能和****的电子束稳定性来实现高效率截面观察。
采用全新设计的Super E x B能量过滤技术,高效,灵活地收集SE / BSE/ STEM信号。
TH-F120
BL-GHX-VK
线性压电纳米位移台MF40-25A
ParticleX TC
观世
在线浊度计
SuperSEM N10
SLS-LED-80B
SJ6000
CELL PAT
FS500全谱直读光谱仪