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ES0S3是针对科研和工业环境中薄膜测量领域推出的波长扫描式高精度多入射角光谱椭偏仪,此系列仪器的波长范围覆盖紫外、可见、近红外、到远红外。
ESS03采用宽光谱光源结合扫描单色仪的方式实现高光谱分辨的椭偏测量。
ESS03系列多入射角光谱椭偏仪用于测量单层和多层纳米薄膜的层构参数(如,膜层厚度、表面微粗糙度等)和光学参数(如,折射率n、消光系数k、复介电常数ε等),也可用于测量块状材料的光学参数。
ESS03系列多入射角光谱椭偏仪尤其适合科研中的新品研发。
ESS03适合很大范围的材料种类,包括对介质材料、聚合物、半导体、金属等的实时和非实时检测,光谱范围覆盖半导体地临界点,这对于测量和控制合成的半导体合金成分非常有用。并且适合于较大的膜厚范围(从次纳米量级到10微米左右)。
ESS03可用于测量光面基底上的单层和多层纳米薄膜的厚度、折射率n及消光系数k。应用领域包括:微电子、半导体、集成电路、显示技术、太阳电池、光学薄膜、生命科学、化学、电化学、磁介质存储、平板显示、聚合物及金属表面处理等。
薄膜相关应用涉及物理、化学、信息、环保等,典型应用如:
项目 | 技术指标 |
光谱范围 | ESS03VI:370-1700nm ESS03UI:245-1700nm |
光谱分辨率(nm) | 可设置 |
入射角度 | 40°-90°手动调节,步距5,重复性0.02 |
准确度 | δ(Psi): 0.02 ° ,δ(Delta): 0.04° (透射模式测空气时) |
膜厚测量重复性(1) | 0.05nm (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层) |
折射率n测量重复性(1) | 0.001 (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层) |
单次测量时间 | 典型0.6s / Wavelength / Point(取决于测量模式) |
光学结构 | PSCA(Δ在0°或180°附近时也具有极高的准确度) |
可测量样品**尺寸 | 直径200 mm |
样品方位调整 | 高度调节范围:10mm |
二维俯仰调节:±4° | |
样品对准 | 光学自准直显微和望远对准系统 |
软件 | •多语言界面切换 |
•预设项目供快捷操作使用 | |
•安全的权限管理模式(管理员、操作员) | |
•方便的材料数据库以及多种色散模型库 | |
•丰富的模型数据库 | |
选配件 | 自动扫描样品台 聚焦透镜 |