粉体行业在线展览
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一代高集成射频前端芯片 S5643-66
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广州慧智微电子股份有限公司
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慧智微
一代高集成射频前端芯片 S5643-66
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慧智微公司专注于可重构射频前端架构，采用基于“绝缘硅（SOI）+砷化镓（GaAs）”两种材料体系的混合架构射频前端技术路线，并实现技术突破及规模商用，使射频前端器件可以通过软件配置实现不同频段、模式、制式和场景下的复用，取得性能、成本、尺寸多方面优化，帮助全球客户化繁为简，与时俱进。
集成高性能PA，支持APT性能优化
所有频段支持29dBm线性功率输出
支持B41 HPUE
支持MIPI RFFE V2.1控制协议
一代高集成射频前端芯片 S5643-66
一代高集成射频前端芯片 S5643-62
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