IBE离子束刻蚀系统

NIE-4000（M）IBE离子束刻蚀产品概述：

NANO-MASTER的离子束刻蚀系统具有很强的适应性，可根据不同的应用而按不同的配置进行建构。多样的样片夹具和离子源配置可支持用户不同的应用。用于离子束系统（或称离子铣系统）的样片夹具可以支持±90°倾斜、旋转、水冷和背氦冷却。

NANO-MASTER技术已经展示了可以把基片文库保持在50°C以内的能力。通过倾斜和旋转，可以刻蚀出带斜坡的槽，并且改善了对侧壁轮廓和径向均匀度的控制。

不同的选配项可以用于不同的网格配置以及中和器。溅射选配项可以支持对新刻蚀金属表面的涂覆，以防氧化。此外，还可以选配单晶圆自动上下片功能。

NIE-4000（M）IBE离子束刻蚀产品特点：

• 优化的14”立方的电抛光不锈钢腔体

• 水冷±90°自动倾斜旋转基片夹具

• 带不锈钢气体管路及气动截止阀的MFC

• 直流离子源1cm-16cm

• 6”基片的刻蚀均匀度±1.2%

• 能够控制基片温度在50°C以内

• 26”x44”占地面积的不锈钢柜体，非常适用于百级超净间

• 基于计算机的全自动工艺控制，菜单驱动

• LabVIEW友好用户界面

• EMO和安全互锁

NIE-4000（M）IBE离子束刻蚀产品选配：

• 光谱终点监测系统

• 背氦冷却

• 21”立方的电抛光不锈钢腔体

• 自动上下片

• 1200L/Sec涡轮分子泵

• 冷泵配置

• 增加MFC用于反应气体实现RIBE

• 栅格式RFICP离子源

• 中空阴极或灯丝中和器

• 溅射源用于钝化层沉积

NIE-4000（M）IBE离子束刻蚀产品应用：

• III-V族光学元件

• 激光光栅

• 高深宽比的光子晶体刻蚀

• SiO2，Si和金属的深槽刻蚀