技术参数

产品特点

银白色金属粉末；粉末分微米级、亚微米、纳米级，形貌常见球形类、球形、不规则片状。

熔点：156.6 ℃，低熔点，低温即可烧结、润湿，适合热敏器件封装；沸点 2075℃，密度 7.3 g/cm³

导电导热良好，常温干燥环境稳定；超细纳米铟粉比表面积大，极易氧化，需要真空惰性气体保存；可溶于浓无机酸，不溶于水、弱碱，粉体反应活性高，易与锡、镓、硒等混合合成 ITO、CIGS、磷化铟等功能材料，球形铟粉流动性佳、堆积密度高；片状铟粉适合导电浆料；颗粒软，受压可填充缝隙，气密性好。

应用领域

1. 显示与透明导电薄膜

高纯铟粉为原料制备ITO 靶材（氧化铟锡）、IGZO 靶材，溅射生成透明导电膜，用于手机、平板、OLED、LCD 触摸屏；也用于低辐射玻璃。全球铟消费**板块。

2. 半导体与光电子

合成 III-V 族化合物半导体：磷化铟 InP、锑化铟 InSb、砷化铟 InAs，用于光通信激光器、红外探测器、高速射频芯片、毫米波器件

半导体掺杂、芯片低温键合、真空密封；铟的软质特性用于低温气密封接、低温热压焊接，保护芯片不被高温损伤

3. 电子封装、焊料、导热界面材料

低熔点焊料、铟基合金粉，用于传感器、光纤、MEMS 器件低温焊接

导热膏 / 液态金属复合材料：铟粉混入导热介质，填充芯片与散热器微缝隙，降低热阻，用于大功率电源、LED、功率半导体散热

4. 薄膜光伏

制备CIGS 铜铟镓硒薄膜太阳能电池，薄膜电池的核心铟源材料之一

5. 特种合金、粉末冶金

制备伍德合金等低熔点易熔合金、轴承耐磨合金；核工业中子探测活化材料；真空、低温设备气密密封材料，利用铟的塑性变形填充界面缝隙，抗热循环泄漏

6. 科研与新材料研发

热电材料、超导材料、催化前驱体、导电胶、电磁屏蔽材料、铟盐制备等实验室原料。

包装储存

本品默认惰气防静电袋装桶装或真空袋装，收货后应密封保存于干燥、阴凉的环境中，不宜长久暴露于空气中，以防受潮发生团聚，影响分散性能和使用效果。