技术参数

产品特点

银灰色金属粉末，稀散战略金属，无独立富矿，多为伴生副产；粉体形貌多为不规则颗粒。

基础参数：熔点938.3 ℃，沸点2830 ℃，密度5.35 g/cm³；金刚石立方晶体结构，质脆，硬度偏高，塑性差。

半导体特性：禁带宽度 0.66 eV，电子迁移率远高于硅，适合高频、低温器件；对 215 μm 中红外波段高透过，可见光、紫外不透过，红外光学核心基础。

化学性质：超细锗粉高温易氧化生成 GeO₂；可在氯气、溴气中燃烧；不溶于水、稀盐酸、稀碱；溶于浓硝酸、浓硫酸、王水、熔融强碱。

粉体特性：微米锗粉稳定性尚可；纳米锗粉活性高，更容易氧化；氧杂质是关键质控指标；可与硅、镓、砷形成合金 / 化合物；资源稀缺，属于关键战略矿产。

短板：脆性大，难以塑性加工；高温有氧环境易氧化；资源分散，提纯成本高。

应用领域

1. 光纤通信

高纯锗粉氯化制备四氯化锗 GeCl₄，作为光纤预制棒掺杂剂，提高纤芯折射率，降低长距离光传输损耗；用于高速光模块、海底光缆、AI 算力中心通信光纤，5G/6G 基础设施核心原料。

2. 红外光学

锗粉是熔炼锗单晶的原料；锗单晶对中红外高透过，制作红外窗口、透镜、棱镜。

**：夜视仪、导弹导引头、无人机光电吊舱、战机红外探测；

民用：车载红外夜视、消防搜救热像仪、工业测温、安防监控。

3. 半导体、射频与微电子

SiGe 硅锗合金：锗粉与硅粉合金化，用于 5G/6G 毫米波射频芯片、高速集成电路，降低功耗、提升频率，也是先进制程芯片重要材料。高纯锗探测器：核辐射、X 射线探测，高能物理、核分析仪器。

溅射靶材、真空蒸镀原料，制备半导体薄膜。历史上**代晶体管核心材料，现在多用于特种高频器件。

4. 航天多结光伏电池

锗片作为三结 / 多结太阳能电池衬底，光电转换效率高、抗辐照，卫星、航天器电源主力光伏衬底材料。

5. 化工催化

二氧化锗（由锗粉氧化得到）用作 PET 聚酯聚合催化剂，用于化纤、塑料工业。

6. 特种合金与新材料研发

金锗、银锗低温焊料，电子器件钎焊；热电材料、超导前驱体；实验室各类光电、半导体新材料研发原料。

包装储存

本品默认惰气防静电袋装桶装或真空袋装，收货后应密封保存于干燥、阴凉的环境中，不宜长久暴露于空气中，以防受潮发生团聚，影响分散性能和使用效果。