粉体行业在线展览
CVD
面议
CVD
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设备特点
1. 升降温速度快,升温采用环形红外短波加热器,*快升温速率可达200℃/s,降温时通过将炉膛退出,实现对产品的快速降温;
2. 测温采用精准的S型金属热电偶直接测量产品表面,使加热工件的温度更加准确;
3. 控制数学控制数学模型采用先进的PID自学习模糊双闭环控制模式,使控温精度在快速升温的恒温状态仍能保持在±3℃;
4. 功能多样化,既可以用于材料的快速升降温退火,也可用于化学气相沉积(CVD)法,在镍或铜箔上制备石墨烯的制备。
设备参数
电源 | AC380~400V,50HZ(60Hz定制) |
**功率 | 15Kw |
额定温度 | 1100℃ |
使用温度 | ≤1000℃ |
反应腔室尺寸 | Φ100X200 |
温场均匀性 | ±3℃ |
温度控制模式 | 智能模糊全闭环PID控制 |
传感器内型 | S型单铂铑 |
*快升温速率 | 200℃/s |
降温速率 | 1~200℃/s(通氮气,速率更快) |
操作方式 | 触摸屏控制 |
真空系统 | 选配 |
进出气接口 | Φ6卡套 |
本产品接受非标定制 |