PECVD管式炉，等离子体增强化学汽相沉积管式炉

PECVD 系统的设计是为了降低传统化学气相沉积的反应温度。在传统化学气相沉积前面安装射频感应装置，电离反应气体，产生等离子体。等离子体的高活性是由于等离子体的高活性加速了反应的进行。这个系统叫做 PECVD。

该型号是博纳热**产品，综合了大多数 PECVD 炉系统的优点，在 PECVD 炉系统前增加了预热区。试验表明，沉积速度快，膜层质量好，孔洞少，不开裂。配备AISO 全自动智能控制系统，操作方便，功能强大。

PECVD 炉的应用范围很广: 金属膜、陶瓷膜、复合膜、各种膜的连续生长。易增加功能，可扩展等离子清洗蚀刻等功能。

PECVD管式炉特点

• 高薄膜沉积速率: 采用射频辉光技术，大大提高了薄膜的沉积速率，沉积速率可达1000s.

• 高面积均匀性: 先进的多点射频送料技术、特殊气路分布、加热技术等，使薄膜均匀性指数达到8%.

• 高浓度: 使用先进的设计概念的半导体产业，一个沉积基板之间的偏差小于2%.

• 高过程稳定性: 高度稳定的设备确保了连续和稳定的过程。

PECVD管式炉标准配件

• 插管4支

• 炉管1根

• 真空泵1件

• 真空密封法兰2套

• 真空计1件

• 气体输送和真空泵

• 射频等离子体设备

可选配件

• 快卸法兰，三通法兰

• 7英寸高清触摸屏

PECVD管式炉图片 

PECVD管式炉技术规格