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光刻机/紫外曝光机

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产品介绍

仪器简介:

光刻机/紫外曝光机 (Mask Aligner)

原产国: 韩国MIDAS公司,**能做到图形化蓝宝石衬底(PSS)光刻机,高性价比

型号:MDA-400M, MDA-60MS

又名:掩模对准曝光机,曝光系统,光刻系统,光刻机,紫外曝光机等;

MIDAS为全球**的半导体设备供应商,多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产,并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域;该公司是目前世界上*早将光刻机商品化的公司之一,拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力;并且其设备被众多**企业、研发中心、研究所和高校所采用;以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务,赢得了用户的青睐。

感谢南开大学,中科院半导体所,中科院长春应化所,中科院物理所,浙江师范大学使用此设备做课题研究!!

此型号光刻机是所有进口设备中性能价格比**的型号,达到欧美品牌的对准精度,CCD显示屏对准更为方便,液晶触摸屏操作,采用欧司朗紫外灯,寿命长。整机效果皮实耐用,正常使用3年内不会出问题!!

目前,上海蓝光已采用该公司全自动型光刻机做LED量化生产,证明其品质达到LED产业标准要求!!而且已经成功提供图形化蓝宝石衬底(PSS)光刻工艺设备

技术参数:

- 基片尺寸:4、6、8、12、25英寸,其他尺寸可定制;

- 光束均匀性:<±3%;

- 曝光时间可调范围:0.1 to 999.9秒;

- 对准精度:0.6-1微米

- 分辨率:1微米;

- 光束输出强度:15-25mW/cm2;

项目 技术规格
曝光系统(Exposure System)

MDA-400M型

光源功率350W UV Exposure Light source with Power supply
分辨率- Vacuum Contact : 1um ( Thin PR@Si Wafer )

- Hard Contact : 1um

- Soft contact : 2um

- 20um Proximity: 5um

**光束尺寸4.25×4.25 inch
光束均匀性≤ ±3% (4inch standard)
光束强度15~20mW/cm2(365nm Intensity)
曝光时间可调整0.1 to 999.9 sec
对准系统(Alignment System)对准精度1um
对准间隙手动调节(数字显示)
光刻模式真空, 硬接触, 软接触,渐进(Proximity)
卡盘水平调节楔形错误补偿Wedge Error Compensation
真空卡盘移动X, Y: 10 mm, Theta: ±5°
Z向移动范围10mm
接近调整步幅1um
样品(Sample)基底 Substrate2, 3, 4 inch
掩模板尺寸4 and 5 inch
Utilities真空 Vacuum< -200 mbar (系统包含真空泵)
压缩空气 CDA> 5Kg/cm2
氮气 N2>3Kg/cm2
电源 Electricity220V, 15A, 1Phase
显微镜及显示器

CCD and Monitor

Dual CCD zoom microscope and LCD (17inch) monitor; Magnification : 80x ~ 1000x;

主要特点:

- 光源强度可控;

- 紫外曝光,深紫外曝光(Option);

- 系统控制:手动、半自动和全自动控制;

- 曝光模式:真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式;

- 真空吸盘范围可调;

- **技术:可双面对准,可双面光刻,具有IR和CCD模式

-两个CCD显微镜系统,**放大1000倍,显示屏直接调节,比传统目镜对准更方便快捷,易于操作。

- 特殊的基底卡盘可定做;

- 具有楔形补偿功能;

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