粉体行业在线展览
一体式垂直气流碳化硅外延设备
面议
芯三代
一体式垂直气流碳化硅外延设备
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技术优势
设备拥有完全独立的自主知识产权,具有差异化的进气方式、垂直气流和温场控制技术,辅以全自动上下料(EFEM)系统和高温传盘等手段,实现了全球优异的低缺陷等综合技术指标和性能,在高产能、8/6吋兼容、CoO成本、长时间多炉数连续自动生长控制、低缺陷率、维护便利性、可靠性等方面都具有明显的优势。
工艺性能
XRD-晶向定位
CVD 真空化学气相沉积设备
等离子体增强化学气相沉积系统CVD
自动划片机
BTF-1200C-RTP-CVD
Gasboard-2060
Pentagon Qlll
定制-电浆辅助化学气相沉积系统-详情15345079037
等离子化学气相沉积系统-PECVD
HSE系列等离子刻蚀机