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热点检测微光显微镜THEMOS系列

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740

产品介绍

mini是一款发热显微镜,配备了高灵敏度InSb相机,可探测半导体器件的内部发热。通过将高精度热探测器探测到的发热图与模板图像叠加,可高精度地识别失效位置。

特性

高灵敏度是通过以下方式获得的:

  • InSb相机在3 μm到5 μm波段内具有高灵敏度

  • 专为3 μm 到 5 μm波段优化的镜头设计

  • 使用lock-in功能(选配)实现低噪声

  • 使用斯特林循环冷却器实现高制冷性能

  • 噪声等效温差(NETD)只有20mK

高分辨率是通过以下方式获得的:

  • InSb相机为640 × 512像素(像素尺寸:15μm)

  • 可选择热纳米镜头(选配)

使用窗口功能,可获得高速探测能力

视频功能

连接测试机,可获得动态分析功能

系统结构灵活,可进行微观到宏观的观测

与PHEMOS、μAMOS系列一样具有用户友好型操作

全系列的选配选项

应用

  • 金属布线短路

  • 接触孔异常

  • 氧化物层微等离子体泄露

  • 氧化物层击穿

  • TFT-LCD泄露/有机EL泄露定位

  • 器件开发过程中温度异常监测

  • 器件和PC板的温度映射

温度测量功能

在器件设计早期,通过获取器件工作时的温度信息,反馈回设计流程,可以缩短器件验证时间,也可增强产品可靠性。在观测基于工作环境的温度行为改变上,该功能也很有用。通过增加U11389温度测量功能,便可以方便地获得该测量功能。

宏观分析

新研发的0.29×红外镜头可提供无水仙现象、无阴影的清晰视场图像。

热纳米镜头系统(Thermal NanoLens System)

热纳米镜头系统因为高数值孔径,大大提高了光校正效率和分辨率。通过在样品(即便样品表面平整度很差)和透镜之间施加显微镜浸润油来获取高数值孔径。使用操纵器来简化纳米透镜系统的设计,可使工作设备的更新更简单。

LSI测试机对接

半导体器件变得越来越复杂,因此必须通过与LSI测试机对接来初始化采样测量、设置特殊条件。安装专用探针卡适配器后,可以用线缆与LSI测试机对接,执行分析。

激光标记

在定位后的失效点附近进行标记,或者在失效点周围的四个点进行标记,可以轻松地将失效点的位置信息传输到其他的分析设备上。

测量示例

案例研究:封装器件观测

案例研究:对器件一侧开口进行失效层观测

案例研究:CMOS观测

发现凸球下的缺陷

案例研究:PCB和封装器件之间的布线失效

在打开封装之前观测热源;打开封装以后获取相位图像以缩小热源范围。

参数

尺寸/重量880 mm(W)×840 mm(D)×1993 mm(H), Approx. 450 kg

PC桌:700 mm(W)×700 mm(D)×700 mm(H), Approx. 50 kg

线电压AC220 V (50 Hz/60 Hz)
功耗约 700W
真空度约80 kPa或更大
压缩空气0.5 MPa to 0.7 MPa

系统配置

C9985-04 InSb相机标配
自动平台控制手动
标准透镜0.8×、4×、15×
样品平台HPK 平台 (8英寸)
探测目镜标配
探测镜头NIR 5×
抗震桌标配
THEMOS分析软件标配
FOV(mm)12×9.6 to 0.64×0.51
目标PCB*,晶片(可达12英寸),Si 片, 封装

*:集成0.29×物镜时。

功能

热lock-in测量选配
3D-IC测量选配
热测量功能选配
热纳米镜头选配
视频功能标配
外部触发标配
窗口功能标配

光学系统

物镜/微距镜头N.A.WD(mm)FOV(mm)配置
MWIR 0.29×0.0481233×26td>选配
MWIR 0.8×0.132212.0×9.6标配
MWIR 4×0.52252.4×1.9标配
MWIR 8×0.75151.2×0.96选配
MWIR 15×0.71150.64×0.51标配
MWIR 30×0.71130.32×0.26选配
M Plan NIR 5×0.1437.52.6×2.6标配

外形图(单位:mm)

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