TriPHEMOS 实时分析微光显微镜

为了满足CPU越来越快的速度和移动设备中低功耗的需求，先进的IC已经具有降低电压、转化为倒装芯片、多布线层以及进一步减小尺寸等特点。由此也导致使用传统技术难以分析芯片内部工作的时序。

TriPHEMOS工具使用二维红外探测器，可以皮秒级精度分析器件时序。

特性

全新的探测器，其灵敏度范围可达1600nm

全新的探测器灵敏度范围为950nm到1600nm，而传统探测器的范围只能到1400nm。扩展出来的光谱灵敏度增加了背面分析和低电压驱动IC的探测效率。

全新的TDC（Time to Digital Converter），减少了分析时间

全新设计的TDC可以以12.5ps的时间分辨率测量10ms内发生的光发射。专用分析软件可以在全测量范围的任何时间窗内获取结果，因此可探究出每个事件的更多细节。

TDC可提供更高的重复频率

专门设计的TDC**可提供10MHz的重复频率。TDC的重复频率范围为100Hz到10MHz，因此使用者在测试工程中可更加灵活（循环长度）。

二维探测器同时测量

近红外二维探测器同时测量视场内所有晶体管的光发射波形，因此可快速识别目标晶体管。

低噪声测量

TriPHEMOS的近红外二维探测器的ems噪声比传统固态探测器的要低1/1000（室内），因此可以捕获非常微弱的光现象。

多功能平台

TriPHEMOS 配备了适用于背面操作的多功能平台。该平台允许使用者增加额外的探测器，可与激光应用配合工作。通过降低样品设置的复杂度进而流程长度，平台将设置样品的效率**化。

分析功能

可在测量中实时成像。

• ROI(感兴趣区域)窗口可对特定的晶体管进行分析。

• 逻辑仿真器下载输出。

选配

CAD导航软件

选配的CAD导航接口软件可使用户在CAD数据上覆盖发光，以进一步分析。

EO探针单元C12323-01

EO探针单元是一款工具，通过使用非连续光源，透过硅基底来观察晶体管状态。它由EOP（Electro Optical Probing）来快速测量晶体管工作电压，由EOFM（Electro Optical Frequency Mapping）以特定频率对活跃晶体管成像。

应用

• 时序验证

• IC开发中的设计验证

• DFM参数收集

• 器件失效分析

LSI器件光发射的动态测量

LSI器件内部的CMOS晶体管在源极和漏极施加电压时由于电流流动而发光，该发光现象可分为瞬变态和静止态。

测量瞬变光发射（瞬变态）

当逻辑状态转换时，LSI器件内部的晶体管开关转换，晶体管瞬间的电流反射出脉冲光。对该脉冲光的波形进行时域测量，可以皮秒级精确度对时间进行测量。

测量静止光发射（静止态）

无论晶体管是维持在开还是关状态，对其施加电压会产生电流并且发光。该现象因对LSI施加的电压以及门电压的不同而不同。当晶体光处于关状态时，决定晶体光特性和缺陷数目的亚阈值电压还影响电流流动中的漏电流量。分析静止态的光发射可以定位缺陷点，追踪晶体管特性浮动、LSI供电不规则性等等参量。

测量示例

参数

*1：重量因选配不同而变化。