粉体行业在线展览
SiC高温退火设备
面议
山东力冠
SiC高温退火设备
298
技术指标/Technical Indicators:
晶片尺寸: 4/6英寸 Wafer size: 4/6 inches | 工作温度范围: 800-2000°C Perating temperature range: 800-2000°C |
装片量: 50/80片 Loading capacity: 50/80 tablets |
应用范围/Scope:
♦ 用于SiC基半导体材料的离子激活和退火处理
lon activation and annealing treatment for SiC-based semiconductor materials