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高真空多靶磁控溅射镀膜系统 JCP500
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高真空多靶磁控溅射镀膜系统 JCP500
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设备主要技术参数:
1.真空腔室
Ф500×H420mm,304优质不锈钢,前开门结构;
2.真空系统
复合分子泵+直联旋片泵+高真空阀门组合的高真空系统,数显复合真空计;
3.真空极限
6.0×10-5Pa(设备空载抽真空24小时);
4.漏率
设备升压率≤0.8Pa/h;
设备保压:停泵12小时候后,真空≤10Pa;
5.抽速
(空载)从大气抽至5.0×10-3Pa≤15min;
6.基片台尺寸
Φ150mm范围内可装卡各种规格基片;
7.基片台旋转与加热
基片旋转:0~20转/分钟;
加热:室温~500±1℃,可控可调,日本岛电PID智能温控闭环控温;
8.溅射靶
配置3套3英寸永磁共焦磁控溅射靶(溅射靶角度、高度可调);
磁控靶RF、MF、DC兼容,可以溅射磁性材料,
磁控靶配有气动挡板结构;
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