产品简介

  HSE200/230设备是针对MEMS及先进封装领域开发的深硅刻蚀设备，主要用于8英寸及以下MEMS刻蚀，以及8-12英寸先进封装硅刻蚀。设备针对研发/中试线/量产领域可以灵活配置平台方式。HSE200/230采用双等离子源设计，能够实现先进封装领域硅材料高速、高产能的需求，同时保证200mm/300mm晶圆的均匀性控制。同时采用脉冲偏压设计，保证TSV高深宽比及优异的形貌控制。目前HSE 200/230已在客户现场大规模使用，设备稳定性、重复性、产品生产良率等均满足用户需求。