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MPCVD薄膜沉积系统
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普诺逊真空科技（苏州）有限公司
江苏
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普诺逊
MPCVD薄膜沉积系统
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气体纯度7N
生长温度
等离子体温度5000'C~6000'C
腔体不锈钢双层腔体+水冷
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CVD 真空化学气相沉积设备
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