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基础研发型 HoF CVD
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基础研发型 HoF CVD
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该款产品，基于热丝CVD法（Hot Filament Chemical Vapor Deposition，简称HoF CVD）镀膜，适用于高校、科研机构使用，或企业研发部门进行原理性验证和技术开发。热丝CVD法与PECVD法在功能上具有相通性，例如硅基薄膜镀膜、氮化硅镀膜、氟系有机材料镀膜等，可以相互替代。但因为镀膜的原理不同，又具有不同的特点。简要总结如下表所示：
| PECVD | HoFCVD | |
| 镀膜质量 | 高，有等离子体损伤 | 更高，无等离子体损伤 |
| 镀膜速度 | 较慢（非晶硅慢，微晶硅更加慢） | 较快（相比于 PECVD，非晶硅快，微晶硅更快） |
| 设备造价 | 高（射频电源、碳基载板，匀气结构复杂） | 低（直流电源、金属载板、匀气结构简单） |
| 运营成本 | 一般 | 较低 |
| 颗粒污染 | 镀膜气压几十-几百 Pa，易形成粉尘；需每天 NF3 等离子清洗 | 镀膜气压几 Pa，不易形成粉尘；可忽略该问题。 |
| 载板要求 | 一般碳基（石墨为主），载板是PE 放电的电极之一，参与放电，所以对其导电性等要求很高。 | 一般金属载板。载板不参与气体分子的裂解反应，导电性无要求。 |
| 绕镀问题 | 原理性问题，需要载板、硅片的平整度和贴合程度要求很高才能避免。 | 可忽略。对载板、硅片的平整度、贴合程度要求低。 |
| 生产装备结构 | 卧式：载板、硅片水平放置，自动化易于实现；粉尘颗粒易于粘附与硅片表面 | 立式：载板、硅片垂直放置，自动化难度高；粉尘不易与粘在硅片表面。 |
| 镀膜均匀性 | 小面积高；但面积增大难度极高（因为等离子体的控制难度高，有驻波效应）。 | 小面积低；但面积增大容易（因为热丝周期性排布） |
| 设备普及程度 | 高。装备、工艺技术人员充足丰富。 | 低。装备、工艺人员少。 |
