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6吋电阻法碳化硅晶体生长设备 UK-T6
面议
苏州优晶
6吋电阻法碳化硅晶体生长设备 UK-T6
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电阻法碳化硅晶体生长设备UK-T6
1、**解决了感应炉径向温度梯度大的技术难点,可实现径向温度梯度小和轴向温度梯度可控,晶体内部缺陷少, 良率高、重复性好;
2、与传统工艺长达7-14天的晶体生长周期相比,UKING ERH SiC RV4.0设备晶体生长速度更快,整个过程可控制在7天之内;
3、 自动化程度高,操控简单,有利于批量生产,提高晶体生长效率和稳定性。