半导体晶圆片的无损检测国际SEMI标准采纳了傅里叶红外光谱法。FSM1201S半导体晶圆分析仪可以根据预设的程序（可以通过软件窗口图文预设1-9个测定点）对76、100、 125、150 以及200mm直径晶圆进行自动分析。单点分析时间不超过20秒。

主要技术指标：

适用以下标准方法：

1）硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法（晶圆厚度0.4～2mm），浓度范围：(5x10¹⁵–2x10¹⁸)±5x10¹⁵см^-3国际标准: SEMI MF1188， Test Method for Interstitial Oxygen Content of Silicon by Infrared Absorption With Short Baseline);

2）硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法（晶圆厚度0.4～2mm），检测范围：(10¹⁶–5x10¹⁷)±10¹⁶см^-3国际标准:SEMI MF1391 TEST METHOD FOR SUBSTITUTIONAL ATOMIC CARBON CONTENT OF SILICON BY INFRARED ABSORPTION

3）硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法国际标准:SEMI MF951　Test Method for Determination if Radial Interstitial Oxygen Variation in Silicon Wafers);

4）硅外延层厚度的分析 (国际标准:SEMI MF95　 Thickness of epitaxial layers for silicon n-n+ and p-p+ structures: (0.5–10)±0.1 µm， (10–200)±1% µm);

5）SOS体系硅外延层厚度的分析Thickness of silicon epitaxial layers in SOS structures:(0.1–10) ±0.01 μm

6）BPSG中硼和磷浓度，PSG中磷浓度的分析Boron and/or phosphorus concentration in BPSG/PSG on silicon: (1–10) ±0.2 Wt%。