粉体行业在线展览
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碳化硅激光垂直剥离设备
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北京晶飞半导体科技有限公司
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北京晶飞
碳化硅激光垂直剥离设备
69
加工材料 SiC晶锭
切割尺寸(inch) 4/6/8/
**切割厚度(mm) 50
材料损耗 100-160um
切割效率(min) 6寸:15-25 8寸:35-45
重复定位精度(μm) ±0.5
长宽高(mm) 1770×1720×1985
加工工艺
碳化硅激光垂直剥离设备采用的加工工艺是使用激光剥离取代传统的线切割模式
加工效果
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| 剥离后6英寸半绝缘晶锭与晶圆 | 垂直剥离后8英寸导电型晶锭与晶圆 |
技术规格
XRD-晶向定位
CVD 真空化学气相沉积设备
等离子体增强化学气相沉积系统CVD
自动划片机
BTF-1200C-RTP-CVD
Gasboard-2060
定制
Pentagon Qlll
HSE系列等离子刻蚀机
